磷化铟（InP)

 

单晶

掺杂

导电
类型

载流子浓度cm-3

位错密
度cm-2

生长方法
最大尺寸

标准
基片

InP

None
Sn
S
Fe
Zn

N
N
N
Si
P

1~2×1016
1~3×1018
1~4×1018
0.6~4×1018

<5×104

LEC
Φ2″ 

Φ2″×0.5